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NXP Semiconductors
BAT54H
Schottky barrier single diode in small SOD123F package
BAT54H
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? NXP B.V. 2012. All rights reserved
Product data sheet
25 July 2012
4
/
8
0
0
10
20
30
5
10
15
VR
(V)
Cd
(pF)
msa891
f = 1 MHz; Tamb
= 25 °C
Fig. 3.
Diode capacitance as a function of reverse voltage; typical values
8.
Test information
8.1
Quality information
This product has been qualified in accordance with the Automotive Electronics Council
(AEC) standard Q101 - Stress test qualification for discrete semiconductors, and is
suitable for use in automotive applications.
9.
Package outline
04-11-29
Dimensions
in
mm
1.2
1.0
0.25
0.10
3.6
3.4
2.7
2.5
0.55
0.35
0.70
0.55
1.7
1.5
1
2
Fig. 4.
SOD123F
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